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FAQ
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Si功率元器件
Si功率元器件
基础篇
总结
总结
前言
前言
Si 二极管
所谓二极管－分类与特性
所谓二极管－整流二极管的特征比较
所谓二极管－肖特基势垒二极管的特征
所谓二极管－快速恢复二极管的特征
Si晶体管
所谓晶体管－分类与特征
所谓MOSFET－寄生电容及其温度特性
所谓MOSFET－开关特性及其温度特性
所谓MOSFET－阈值、ID-VGS特性及温度特性
所谓MOSFET－超级结MOSFET
所谓MOSFET－高耐压超级结MOSFET的种类与特征
所谓MOSFET－高速trr SJ-MOSFET : PrestoMOS ™
同时具备MOSFET和IGBT优势的Hybrid MOS
MOSFET规格相关的术语集
MOSFET的热阻和容许损耗
可背面散热的封装
实际工作中的晶体管适用性确认
实际工作中的适用性确认和准备
确认在绝对最大额定值范围内
确认在SOA（安全工作区）范围内
确认在实际使用温度降额后的SOA范围内
确认平均功耗在额定功率范围内
确认芯片温度
总结
发挥其特征的应用事例
什么是PFC
临界模式PFC : 利用二极管提高效率的例子
电流连续模式PFC : 利用二极管提高效率的例子
LED照明电路 : 利用MOSFET提升效率并降低噪声的案例
空调用PFC电路 : 利用MOSFET和二极管提高效率的案例
评估篇
Si二极管用的散热性能出色的小型封装“PMDE”评估
前言
PMDE封装的外形和内部结构
PMDE封装的散热性能 （仿真）
PMDE封装的实机评估
PMDE封装SBD产品阵容
总结
通过双脉冲测试评估MOSFET的反向恢复特性
什么是双脉冲测试？
通过双脉冲测试评估反向恢复特性
误启动的发生机制
总结
相移全桥电路的功率转换效率提升
PSFB电路的基本结构
PSFB电路的基本工作
轻负载时开关元件工作相关的注意事项
重负载时中开关元件工作相关的注意事项
效率的评估
总结
MOSFET的失效机理
前言
什么是SOA（Safety Operation Area）失效
什么是雪崩失效
什么是dV/dt失效
总结
逆变电路中开关器件反向恢复特性的重要性
前言
逆变电路的种类和通电方式
三相调制逆变电路的基本工作
通过双脉冲测试比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的损耗（实际测试结果）
通过三相逆变电路比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的效率（仿真）
总结
LLC转换器中一次侧开关器件反向恢复特性的重要性
前言
LLC转换器的基本结构
LLC转换器的工作特点
LLC转换器的基本工作
MOSFET的反向恢复特性对于LLC转换器失谐的重要性
总结
基础知识
工程技巧
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